尹-바이든, 반도체 동맹 상징 ‘3나노 웨이퍼’에 사인

윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 20일 경기 평택시 삼성전자 반도체 공장에서 최첨단 3나노 공정 반도체 웨이퍼에 사인을 하고 있다.

20일 양국 정상의 삼성전자 평택 반도체 공장 시찰에선 최첨단 반도체 기술과 한미 기술협력 사례들이 소개됐다.

윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령은 방명록 대신 최첨단 3나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m) 공정 반도체 웨이퍼에 서명한 뒤 P3 생산라인 투어를 시작했다.

3나노 반도체는 머리카락 굵기 10만분의 3에 불과한 3나노미터 폭으로 웨이퍼(반도체 기판) 위에 회로를 만들어 생산한다. 초미세 반도체 공정은 회로 선폭이 작을수록 첨단이다. 3나노는 5나노 공정보다 칩 면적과 소비전력을 각각 35%, 50% 줄이고, 처리속도는 30% 빠른 반도체를 만들 수 있다.

 

삼성전자는 2019년 3나노 반도체를 개발한 후 올해 상반기(1∼6월) 세계 첫 양산을 목표로 하고 있다. 대만 TSMC는 올 하반기(7∼12월) 예정이다. 바이든 대통령은 “3나노 최첨단 반도체 제품을 삼성이 내놓고 있다”면서 “평택과 같은 파운드리를 텍사스 테일러시에 구축하는 것을 감사하게 생각한다”고 말했다.

램리서치, KLA 등 미국 반도체 장비업체 관계자들이 설명을 맡아 한미 기술협력 현장을 보여줬다. 정상들이 연설한 무대 뒤에는 미국 국적의 삼성 직원들이 자리해 눈길을 끌었다.

취임 후 한국을 첫 방문한 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 함께 20일 오후 경기도 평택시 삼성전자 반도체공장을 시찰하고 있다

바이든·尹 서명 남긴 '세계 최초' 삼성 3나노 반도체 웨이퍼란

20일 방한한 조 바이든 미국 대통령이 첫 일정으로 삼성전자 평택 반도체 공장을 찾았다. 바이든 대통령은 윤석열 대통령과 함께 종이 방명록 대신 반도체 웨이퍼(Wafer)에 서명을 남겼다.

웨이퍼는 반도체의 주재료인 얇은 실리콘 판이다. 지난해 4월 백악관에 삼성전자를 비롯해 주요 업계 대표들이 참석한 가운데 백악관 주재로 열린 '반도체 및 공급망 회복을 위한 CEO 회의'에서 바이든 대통령이 웨이퍼를 직접 손에 들고 촬영해 화제가 된 바 있다.

특히 바이든 대통령이 직접 서명한 웨이퍼는 삼성전자가 세계 최초로 양산에 돌입하는 차세대 공정기술 GAA(Gate All Around)기반 3나노(㎚·10억분의 1m) 반도체 웨이퍼로 특별한 의미를 지닌다.

삼성전자의 3나노 웨이퍼는 2020년 7월 '나노코리아' 전시회에서 처음으로 일반에 공개된 제품이다.

2019년 삼성전자가 세계 최초로 개발에 성공한 GAA 기반 3나노 공정은 전 세대인 5나노 공정 대비 칩 면적을 약 35% 줄이고 소비전력을 50% 감소시켰다. 처리속도는 30% 향상시킬 수 있는 기술이다.  GAA 기반 3나노 반도체는 TSMC를 따라잡을 삼성의 야심작으로 꼽힌다.

삼성전자는 대만 경쟁사 TSMC에 앞서 3나노 공정 제품을 올해 상반기(1~6월) 중 양산하는 것이 목표다. 3나노 개발에서는 삼성이 이 분야 세계 1위인 TSMC보다 반년 정도 앞선 것으로 알려졌다.

이날 윤석열 대통령과 바이든 대통령은 이 부회장의 안내를 받으며 현재 가동 중인 1라인(P1)과 아직 건설 중인 3라인(P3) 등을 둘러봤다.

이 과정에서 삼성전자는 이재용 부회장을 앞세워 바이든 대통령과 윤석열 대통령에게 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품도 직접 소개했다.

현장에는 크리스티아노 아몬 퀄컴 최고경영자(CEO) 등도 함께했다. 주요 고객사 중 하나인 퀄컴 CEO 앞에서 삼성전자가 3나노 반도체 기술과 시제품을 처음으로 공개했다는 점에서도 의의가 있다.

미국은 반도체 연구개발과 설계 분야에서 선두주자지만 생산 시설을 통한 기술 경쟁력이 부족한 상황이다. 반도체 생산 기술 경쟁력이 높은 한국·대만 등과 협력해 안정적인 반도체 공급망을 구축하기 위해 노력 중이다.

 

오는 21일 정상회담에서도 '경제안보'를 중심으로 반도체 등 첨단 기술 협력이 주요 의제로 논의될 전망이다.

특히 삼성전자는 상반기 내 미국 텍사스주 테일러시에 170억달러(약 20조원)를 투입해 파운드리 공장을 설립하기로 결정했다. 바이든 방한 이후 한미 반도체 상호 보완 전략이 공개되면 삼성전자의 테일러시 반도체 공장 설립과 가동 일정도 뚜렷해질 것으로 보인다.

이날 바이든 미국 대통령은 평택캠퍼스 내부 시찰 이후 연설을 통해 삼성의 미국 투자에 대해 여러 차례 감사의 뜻을 전했다.

바이든 대통령은 "삼성전자가 170억달러를 미국에 투자하기로 작년 5월에 약속한 것에 다시한번 감사한다. 텍사스 테일러시에서 세계 최고의 반도체가 생산될 것"이라며 "또 전기차 배터리 생산을 위한 조인트 벤처 설립계획도 알고 있다"고 말했다.    

한편 삼성전자 평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 최첨단 반도체 생산기지로, 한국의 반도체 산업의 위상 및 글로벌 공급망 내 비중을 보여주는 장소다.

경제계는 바이든 대통령의 삼성전자 방문이 '안보동맹'을 넘어 '기술동맹'의 시작을 알렸고 삼성뿐 아니라 우리 기업들의 미국 내 투자에 대한 마중물이 될 것으로 기대하고 있다.